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傳真:0550-7020026
網(wǎng)址:shunkejishai.com
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壓力變送器發(fā)展見(jiàn)證了科技的進(jìn)步
點(diǎn)擊次數(shù):1437 更新時(shí)間:2015-09-08
隨著科技的不斷進(jìn)步,壓力變送器越來(lái)越廣泛的被我們應(yīng)用于生活工作中,LD3351壓力變送器是我公司的一款主打產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于冶金、石油化工、電力、輕工、紡織、食品、國(guó)防以及科研等工業(yè)部門(mén),可以安裝于熱電阻的接線盒內(nèi)與之形成一體化結(jié)構(gòu),是全新一代的測(cè)溫儀表。
壓力變送器的發(fā)展之路主要可以分成四個(gè)階段,從1947年雙極性晶體管的發(fā)明到現(xiàn)在,壓力變送器經(jīng)歷了幾十年的發(fā)展,已經(jīng)越來(lái)越成為各類(lèi)變送器中技術(shù)zui成熟、性能zui穩(wěn)定、的一類(lèi)變送器,現(xiàn)代壓力變送器以半導(dǎo)體變送器的發(fā)明為標(biāo)志,下面就讓小編帶著你回顧一下半導(dǎo)體變送器的四個(gè)發(fā)展階段吧。
*階段(1945 - 1960 年):壓力變送器發(fā)展的*階段即為發(fā)明階段,主要是以1947雙極性晶體管的發(fā)明為標(biāo)志的,在那以后,半導(dǎo)體材料得到了較為廣泛地應(yīng)用,1945年史密斯(C.S. Smith)發(fā)下了硅與鍺的壓阻效應(yīng)(當(dāng)有外力作用于半導(dǎo)體材料時(shí),其電阻將明顯發(fā)生變化),依據(jù)這個(gè)原理制成的壓力變送器是把應(yīng)變電阻片粘在金屬薄膜上,即將力信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。此階段zui小尺寸大約為1cm。
第二階段(1960 - 1970 年):壓力變送器發(fā)展的第二階段屬于技術(shù)發(fā)展階段,這一時(shí)期隨著硅擴(kuò)散技術(shù)的發(fā)展,技術(shù)人員在硅的(001) 或(110) 晶面選擇合適的晶向直接把應(yīng)變電阻擴(kuò)散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片,稱(chēng)為硅杯,這是的變送器已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了金屬- 硅共晶體,具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化等優(yōu)點(diǎn),也為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。
第三階段(1970 - 1980 年):壓力變送器發(fā)展的第三階段屬于商業(yè)化集成加工階段,這個(gè)時(shí)期在硅杯擴(kuò)散理論的基礎(chǔ)上應(yīng)用了硅的各向異性的腐蝕技術(shù),擴(kuò)散硅變送器其加工工藝以硅的各項(xiàng)異性腐蝕技術(shù)為主,發(fā)展成為可以自動(dòng)控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術(shù),主要有V形槽法、濃硼自動(dòng)中止法、陽(yáng)極氧化法自動(dòng)中止法和微機(jī)控制自動(dòng)中止法。
第四階段(1980 年- 今) :從上世紀(jì)80年代開(kāi)始到現(xiàn)在,納米技術(shù)的發(fā)展使得微機(jī)械加工工藝成為可能,通過(guò)微機(jī)械加工工藝可以由計(jì)算機(jī)控制加工出結(jié)構(gòu)型的壓力變送器,其線度可以控制在微米級(jí)范圍內(nèi)。利用這一技術(shù)可以加工、蝕刻微米級(jí)的溝、條、膜,使得壓力變送器進(jìn)入了微米階段。
隨著時(shí)代的變化,將會(huì)有越來(lái)越多類(lèi)型的變送器出現(xiàn)在我們的工作生產(chǎn)之中,這些變送器各有各的特點(diǎn),為我們的選擇提供了更廣闊的空間,我們?cè)谶x購(gòu)的過(guò)程中一定要找到自己的變送器,才能發(fā)揮出儀器zui大的性能。